技術奪取により登録された特許は無効審判請求を！ - 特許審判院、真の権利者保護に乗り出す - 他人が発明した技術を奪取して自己の名前で出願•登録された特許に対し、特許法第33条第1項本文の規定により無権利者の特許出願という理由で無効審判を通じ、救済が受けられる。...

기술탈취로 등록된 특허, 무효심판 청구하세요! - 특허심판원, 진정한 권리자 보호에 앞장서 - 타인이 발명한 기술을 탈취해서 자신의 이름으로 출원·등록된 특허에 대해 특허법 제33조 제1항 본문에 근거하여 무권리자의 특허출원이라는 이유로...

Sudden increase in patent application filings regarding next generation power semiconductors According to the Korean Intellectual...

次世代パワー半導体関連の特許出願が急増 特許庁によると、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)ベースの次世代パワー半導体関連の特許出願が近年急増したことが明らかになった。 出願件数は2015年に10件、2016年に13件、2017年に18件と着実に増加し、2018年に...

차세대 전력반도체 관련 특허출원 급증 특허청에 따르면, 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 기반의 차세대 전력반도체 관련 특허출원이 최근 들어 급증한 것으로 나타났다. 출원건수는 2015년 10건, 2016년 13건, 2017년 18건으로...